Samsung MZ-V9P1T0 M.2 1 To PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe
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Samsung MZ-V9P1T0 M.2 1 To PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe

SAMSUNG990 PRODisque SSD Interne1 ToAvec dissipateurPCIe 4.0NVMe 2.0M2 2280Jusqu'a 7450 Mo/s (MZ-V9P1T0GW)
165,99 €

Dont 0,02 € d'éco-participation

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sur cet article

Description

Les points forts de ce produit

SAMSUNG - 990 PRO - Disque SSD Interne - 1 To - Avec dissipateur - PCIe 4.0 - NVMe 2.0 - M2 2280 - Jusqu'a 7450 Mo/s (MZ-V9P1T0GW)

  • SAMSUNG
  • 990 PRO
  • Disque SSD Interne
  • 1 To
  • Avec dissipateur
  • PCIe 4.0
  • NVMe 2.0
  • M2 2280
  • Jusqu'a 7450 Mo/s (MZ-V9P1T0GW)

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Caractéristiques principales

MarqueSAMSUNG
Code EAN 8806094594645
Dimensions Lxlxh 10 X 14 X 2 cm
Poids0.10 Kg

Garantie : 2 ans pièces et main d'oeuvre

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Caractéristiques

SAM1687224621466
14.30 cm
2.20 cm
9.80 cm
0.10 kg
60 Produits
Caractéristiques
Version NVMe
2.0
Vitesse d'écriture
6900 Mo/s
Lecture aléatoire (4KB)
1200000 IOPS
Interface
PCI Express 4.0
Support S.M.A.R.T.
Oui
Facteur de forme SSD
M.2
Choc durant le fonctionnement
1500 G
NVMe
Oui
Taille du SSD M.2
2280 (22 x 80 mm)
Vitesse de lecture
7450 Mo/s
Le chiffrement matériel
Oui
Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif)
Oui
Algorithme de sécurité soutenu
256-bit AES
Écriture aléatoire (4KB)
1550000 IOPS
Capacité du Solid State Drive (SSD)
1 To
Temps moyen entre pannes
1500000 h
Type de mémoire
V-NAND MLC
Support TRIM
Oui
Température d'opération
0 - 70 °C
composant pour
PC
Largeur
80 mm
Poids
28 g

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